Ogłoszenie nr 82446 - 2017 z dnia 2017-05-12 r.
Warszawa: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
OGŁOSZENIE O ZAMIARZE ZAWARCIA UMOWY - Dostawy

Zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej


Nazwa projektu lub programu:



Postępowanie przeprowadza centralny zamawiający

nie

Postępowanie przeprowadza podmiot, któremu zamawiający powierzył/powierzyli przeprowadzenie postępowania

nie

Informacje na temat podmiotu, któremu zamawiający powierzył/powierzyli prowadzenie postępowania:



Postępowanie jest przeprowadzane wspólnie przez zamawiających

nie


Postępowanie jest przeprowadzane wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej

nie


W przypadku przeprowadzania postępowania wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej – mające zastosowanie krajowe prawo zamówień publicznych:


Informacje dodatkowe: 

SEKCJA I: ZAMAWIAJĄCY

I. 1) NAZWA I ADRES:
Instytut Technologii Elektronowej, krajowy numer identyfikacyjny 3897100000, ul. Al. Lotników  , 02668   Warszawa, państwo Polska, woj. mazowieckie, tel. 225 487 700, faks 228 470 631, e-mail azygler@ite.waw.pl Adres strony internetowej (URL): www.ite.waw.pl



I. 2) RODZAJ ZAMAWIAJĄCEGO:
Podmiot prawa publicznego

I.3) WSPÓLNE UDZIELANIE ZAMÓWIENIA
(jeżeli dotyczy):
Podział obowiązków między zamawiającymi w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania, w tym w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej (który z zamawiających jest odpowiedzialny za przeprowadzenie postępowania, czy i w jakim zakresie za przeprowadzenie postępowania odpowiadają pozostali zamawiający, czy zamówienie będzie udzielane przez każdego z zamawiających indywidualnie, czy zamówienie zostanie udzielone w imieniu i na rzecz pozostałych zamawiających):

SEKCJA II: PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA

II.1) Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego: 
dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
Przed wszczęciem postępowania o udzielenie zamówienia nie przeprowadzono dialogu technicznego

II.2) Rodzaj zamówienia

Dostawy


II.3) Informacja o możliwości składania ofert częściowych:


Zamówienie podzielone jest na części:

Nie


II.4) Krótki opis przedmiotu zamówienia
(wielkość, zakres, rodzaj i ilość dostaw, usług lub robót budowlanych lub określenie zapotrzebowania i wymagań):
Określenie wielkości lub zakresu zamówienia: Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 µm i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt.: 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.


II.5) Główny kod CPV):
24311140-0,
Dodatkowe kody CPV:


II.6) Całkowita wartość zamówienia
(jeżeli zamawiający podaje informacje o wartości zamówienia):
Wartość bez VAT:
Waluta:
SEKCJA III: PROCEDURA

III.1) Tryb udzielenia zamówienia:
Zamówienie z wolnej ręki

III.2) Podstawa prawna

Postępowanie wszczęte zostało na podstawie  art. 67 ust 1 pkt 1b ustawy Pzp.

III.3 Uzasadnienia wyboru trybu

Należy podać uzasadnienie faktyczne i prawne wyboru trybu oraz wyjaśnić, dlaczego udzielenie zamówienia jest zgodne z przepisami:
Wysokiej klasy monokrystaliczne, półizolacyjne podłoża GaN (GaN SI) oraz podłoża GaN typu n o niskiej gęstości dyslokacji są potrzebne do realizacji prac badawczo-rozwojowych w dziedzinie przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości realizowanych w ITE. Materiałem spełniającym nasze wymagania (gęstość dyslokacji poniżej 10^5 cm^-2, rezystancja GaN SI ≥10^9 Ωcm) są podłoża GaN wytwarzane metodą ammonotermalną przez firmę AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej. W szczególności dotyczy to podłoży n-GaN, bowiem podłoża o tak niskiej gęstości dyslokacji oferowane są obecnie jedynie przez firmę AMMONO. Ammonotermalna technologia otrzymywania monokrystalicznego GaN oparta jest na szeregu patentów będących własnością firmy AMMONO. Podłoża GaN SI przeznaczone będą do prac rozwojowych nad technologią mikrofalowego tranzystora HEMT na pasmo S i wyższe. Badania nad tego typu tranzystorem wykorzystujące struktury AlGaN/GaN na podłożach z półizolacyjnego, monokrystalicznego azotku galu wytwarzanego metodą ammonotermalną rozpoczęte zostały w ramach projektu PBS1/A3/9/2012 Pol-HEMT. Członkiem konsorcjum realizującego projekt była firma AMMONO S.A. (obecnie AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej), której zadaniem było dostarczanie podłoży GaN SI. W wyniku przeprowadzonych badań wykonano wysokiej kasy tranzystor HEMT AlGaN/GaN, osiągając stopień zaawansowania technologicznego na poziomie TRL 4-5. W celu doskonalenia technologii a także podwyższenia poziomu TRL konieczne jest kontynuowanie badań, w szczególności szeroko pojętych badań mechanizmów degradacji i niezawodności tranzystorów HEMT. Wynika stąd konieczność posiadania podłoży tego samego rodzaju, jakie używane były podczas realizacji projektu, tj. monokrystalicznych, półizolacyjnych podłoży GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną, których jedynym wytwórcą jest firma AMMONO. Płytki podłożowe GaN typu n będą wykorzystywane w badaniach nad rozwojem technologii wertykalnych przyrządów z azotku galu, takich jak diody i tranzystory MOSFET. Do tego typu przyrządów wymagane jest stosowanie objętościowych kryształów GaN, wysokodomieszkowanych o niskiej rezystancji, na których hodowane będą epitaksjalnie warstwy aktywne przyrządów. Podłoża powinny być jak najlepszej jakości krystalograficznej, o najniższej dostępnej gęstości dyslokacji, poniżej 1x10^5 cm^-2. Dyslokacje są jednymi z tzw. "killer defects" w konstrukcji przyrządów wertykalnych (np. diod bipolarnych typu p-i-n) ograniczającymi napięcie przebicia i zwiększającymi prądy upływu a AMMONO, jak wspomniano wyżej, jest jedynym dostawcą n-GaN o tak niskiej gęstości dyslokacji.

SEKCJA IV: ZAMIAR UDZIELENIA ZAMÓWIENIA


NAZWA I ADRES WYKONAWCY KTÓREMU ZAMAWIAJĄCY ZAMIERZA UDZIELIĆ ZAMÓWIENIA:

Ammono SA - w upadłości likwidacyjnej,  ,  ul. Prusa 2 ,  00-493,  Warszawa,  kraj/woj.

Ogłoszenie nr 91702 - 2017 z dnia 2017-06-02 r.
Warszawa: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala
OGŁOSZENIE O UDZIELENIU ZAMÓWIENIA -

Zamieszczanie ogłoszenia:
obowiązkowe.

Ogłoszenie dotyczy:
zamówienia publicznego

Zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej

nie

Nazwa projektu lub programu



Zamówienie było przedmiotem ogłoszenia w Biuletynie Zamówień Publicznych:
tak
Numer ogłoszenia: 82446


Ogłoszenie o zmianie ogłoszenia zostało zamieszczone w Biuletynie Zamówień Publicznych:
nie

SEKCJA I: ZAMAWIAJĄCY

Postępowanie zostało przeprowadzone przez centralnego zamawiającego

nie

Postępowanie zostało przeprowadzone przez podmiot, któremu zamawiający powierzył/powierzyli przeprowadzenie postępowania

nie

Postępowanie zostało przeprowadzone wspólnie przez zamawiających

nie

Postępowanie zostało przeprowadzone wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej

nie

W przypadku przeprowadzania postępowania wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej – mające zastosowanie krajowe prawo zamówień publicznych::


Informacje dodatkowe:

I. 1) NAZWA I ADRES:
Instytut Technologii Elektronowej, krajowy numer identyfikacyjny 3897100000, ul. Al. Lotników  , 02668   Warszawa, państwo Polska, woj. mazowieckie, tel. 225 487 700, faks 228 470 631, e-mail azygler@ite.waw.pl
Adres strony internetowej (URL): www.ite.waw.pl

I. 2) RODZAJ ZAMAWIAJĄCEGO:
Podmiot prawa publicznego

I.3) WSPÓLNE UDZIELANIE ZAMÓWIENIA (jeżeli dotyczy):
Podział obowiązków między zamawiającymi w przypadku wspólnego udzielania zamówienia, w tym w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej (jeżeli zamówienie zostało udzielone przez każdego z zamawiających indywidualnie informacja w sekcji I jest podawana przez każdego z zamawiających, jeżeli zamówienie zostało udzielone w imieniu i na rzecz pozostałych zamawiających w sekcji I należy wskazać który z zamawiających zawarł umowę):
SEKCJA II: PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA

II.1) Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego:

dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala

Numer referencyjny (jeżeli dotyczy):


II.2) Rodzaj zamówienia:

Dostawy

II.3) Krótki opis przedmiotu zamówienia (wielkość, zakres, rodzaj i ilość dostaw, usług lub robót budowlanych lub określenie zapotrzebowania i wymagań ) a w przypadku partnerstwa innowacyjnego - określenie zapotrzebowania na innowacyjny produkt, usługę lub roboty budowlane:

Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 µm i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt. 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.

II.4) Informacja o częściach zamówienia:


Zamówienie podzielone jest na części:


II.5) Główny Kod CPV: 24311140-0
Dodatkowe kody CPV:
SEKCJA III: PROCEDURA

III.1) TRYB UDZIELENIA ZAMÓWIENIA

Zamówienie z wolnej ręki

III.2) Ogłoszenie dotyczy zakończenia dynamicznego systemu zakupów


III.3) Informacje dodatkowe:

SEKCJA IV: UDZIELENIE ZAMÓWIENIA
Postępowanie/część zostało unieważnione nie
Należy podać podstawę i przyczynę unieważnienia postępowania:

IV.1) DATA UDZIELENIA ZAMÓWIENIA:
23/05/2017

IV.2 Całkowita wartość zamówienia

Wartość bez VAT
320000.00

Waluta
PLN


IV.3) INFORMACJE O OFERTACH

Liczba otrzymanych ofert
1
w tym

Liczba otrzymanych ofert od małych i średnich przedsiębiorstw:


Liczba otrzymanych ofert od wykonawców z innych państw członkowskich Unii Europejskiej:


Liczba otrzymanych ofert od wykonawców z państw niebędących członkami Unii Europejskiej:


liczba ofert otrzymanych drogą elektroniczną:


IV.4) LICZBA ODRZUCONYCH OFERT:


IV.5) NAZWA I ADRES WYKONAWCY, KTÓREMU UDZIELONO ZAMÓWIENIA
Zamówienie zostało udzielone wykonawcom wspólnie ubiegającym się o udzielenie:
nie
Ammono SA - w upadłości likwidacyjnej ,  ,  {Dane ukryte},  00-493,  Warszawa,  kraj/woj. mazowieckie
Wykonawca jest małym/średnim przedsiębiorcą: nie
Wykonawca pochodzi z innego państwa członkowskiego Unii Europejskiej: nie
Skrót literowy nazwy państwa:
Wykonawca pochodzi z innego państwa nie będącego członkiem Unii Europejskiej: nie
Skrót literowy nazwy państwa:

IV.6) INFORMACJA O CENIE WYBRANEJ OFERTY/ WARTOŚCI ZAWARTEJ UMOWY ORAZ O OFERTACH Z NAJNIŻSZĄ I NAJWYŻSZĄ CENĄ/KOSZTEM


Cena wybranej oferty/wartość umowy
393600.00

Oferta z najniższą ceną/kosztem
393600.00
>
Oferta z najwyższą ceną/kosztem
393600.00

Waluta:
PLN


IV.7) Informacje na temat podwykonawstwa


Wykonawca przewiduje powierzenie wykonania części zamówienia podwykonawcy/podwykonawcom


Wartość lub procentowa część zamówienia, jaka zostanie powierzona podwykonawcy lub podwykonawcom:


IV.8) Informacje dodatkowe:



IV.9) UZASADNIENIE UDZIELENIA ZAMÓWIENIA W TRYBIE NEGOCJACJI BEZ OGŁOSZENIA, ZAMÓWIENIA Z WOLNEJ RĘKI ALBO ZAPYTANIA O CENĘ

IV.9.1) Podstawa prawna

Postępowanie prowadzone jest w trybie  zamówienie z wolnej ręki  na podstawie art. 67 ust. 1 pkt 1b  ustawy Pzp.


IV.9.2) Uzasadnienia wyboru trybu

Należy podać uzasadnienie faktyczne i prawne wyboru trybu oraz wyjaśnić, dlaczego udzielenie zamówienia jest zgodne z przepisami.
Wysokiej klasy monokrystaliczne, półizolacyjne podłoża GaN (GaN SI) oraz podłoża GaN typu n o niskiej gęstości dyslokacji są potrzebne do realizacji prac badawczo-rozwojowych w dziedzinie przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości realizowanych w ITE. Materiałem spełniającym nasze wymagania (gęstość dyslokacji poniżej 10^5 cm^-2, rezystancja GaN SI ≥10^9 Ωcm) są podłoża GaN wytwarzane metodą ammonotermalną przez firmę AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej. W szczególności dotyczy to podłoży n-GaN, bowiem podłoża o tak niskiej gęstości dyslokacji oferowane są obecnie jedynie przez firmę AMMONO. Ammonotermalna technologia otrzymywania monokrystalicznego GaN oparta jest na szeregu patentów będących własnością firmy AMMONO. Podłoża GaN SI przeznaczone będą do prac rozwojowych nad technologią mikrofalowego tranzystora HEMT na pasmo S i wyższe. Badania nad tego typu tranzystorem wykorzystujące struktury AlGaN/GaN na podłożach z półizolacyjnego, monokrystalicznego azotku galu wytwarzanego metodą ammonotermalną rozpoczęte zostały w ramach projektu PBS1/A3/9/2012 Pol-HEMT. Członkiem konsorcjum realizującego projekt była firma AMMONO S.A. (obecnie AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej), której zadaniem było dostarczanie podłoży GaN SI. W wyniku przeprowadzonych badań wykonano wysokiej kasy tranzystor HEMT AlGaN/GaN, osiągając stopień zaawansowania technologicznego na poziomie TRL 4-5. W celu doskonalenia technologii a także podwyższenia poziomu TRL konieczne jest kontynuowanie badań, w szczególności szeroko pojętych badań mechanizmów degradacji i niezawodności tranzystorów HEMT. Wynika stąd konieczność posiadania podłoży tego samego rodzaju, jakie używane były podczas realizacji projektu, tj. monokrystalicznych, półizolacyjnych podłoży GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną, których jedynym wytwórcą jest firma AMMONO. Płytki podłożowe GaN typu n będą wykorzystywane w badaniach nad rozwojem technologii wertykalnych przyrządów z azotku galu, takich jak diody i tranzystory MOSFET. Do tego typu przyrządów wymagane jest stosowanie objętościowych kryształów GaN, wysokodomieszkowanych o niskiej rezystancji, na których hodowane będą epitaksjalnie warstwy aktywne przyrządów. Podłoża powinny być jak najlepszej jakości krystalograficznej, o najniższej dostępnej gęstości dyslokacji, poniżej 1x10^5 cm^-2. Dyslokacje są jednymi z tzw. "killer defects" w konstrukcji przyrządów wertykalnych (np. diod bipolarnych typu p-i-n) ograniczającymi napięcie przebicia i zwiększającymi prądy upływu a AMMONO, jak wspomniano wyżej, jest jedynym dostawcą n-GaN o tak niskiej gęstości dyslokacji.
Adres: Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
woj. mazowieckie
Dane kontaktowe: email: azygler@ite.waw.pl
tel: 225 487 700
fax: -
Termin składania wniosków lub ofert:
- brak -
Dane postępowania
ID postępowania BZP/TED: 8244620170
ID postępowania Zamawiającego:
Data publikacji zamówienia: 2017-05-11
Rodzaj zamówienia: dostawy
Tryb& postępowania [WR]: Zamówienia z wolnej ręki
Czas na realizację: -
Wadium: -
Oferty uzupełniające: NIE
Oferty częściowe: NIE
Oferty wariantowe: NIE
Przewidywana licyctacja: NIE
Ilość części: 1
Kryterium ceny: 100%
WWW ogłoszenia: www.ite.waw.pl
Informacja dostępna pod:
Okres związania ofertą: 0 dni
Kody CPV
24311140-0 Azotki
Wyniki
Nazwa części Wykonawca Data udzielenia Wartość
dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala Ammono SA - w upadłości likwidacyjnej
Warszawa
2017-06-02 393 600,00