Dostawa zestawu do wytwarzania pokryć dielektrycznych i podłoży do nanotechnologii. - pl-warszawa: różne maszyny specjalnego zastosowania

Opis przedmiotu przetargu: przedmiot oraz wielkość lub zakres zamówienia 1) przedmiotem zamówienia jest dostawa zestawu wytwarzania pokryć dielektrycznych i podłoży do nanotechnologii, zwanego dalej „zestawem”, do składającego się z i. systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie (zwanego dalej systemem dod), oraz z ii. systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną (zwanego dalej systemem nanolc) ze sprzętem uzupełniającym wraz zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem personelu we wskazanych przez zamawiającego pomieszczeniu. i) system dod kompletny system wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie z układem kontroli parametrów osadzanych warstw i skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw oraz odpowiednim oprogramowaniem wraz z zamontowaniem w siedzibie zamawiającego we wskazanym pomieszczeniu oraz z uruchomieniem systemu a także przeszkoleniem użytkowników w zakresie obsługi i eksploatacji. system powinien zapewniać możliwość osadzania warstw dielektrycznych, ochronnych (sio2, zno, ito, itp.) oraz warstw dopasowujących optycznie (warstw twardych i warstw miękkich) na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i uv m.in. na szkle, germanie (ga), krzemie i szkle kwarcowym (si, suprasil®, jg3® lub równoważnym), selenku cynku (znse), fluorku wapnia (caf2), szkłach germanowych (np. amtir®, gasir® lub równoważnych). system powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach. 1. komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 c, z jednorodnością pokrycia powierzchni minimum 50 x 50 mm lepszą niż 5 % w ilości jednorazowo min. 4 szt. komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. 2 naparowarek z bombardowaniem elektronowym, źródła jonów, manipulatora, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości osadzanych warstw i innego wyposażenia niezbędnego do wykonania podłoży w procesie automatycznym i manualnym, a także min., okien obserwacyjnych z przesłonami. komora powininna być przystosowana do zamontowania kompletnego źródła jonów, o którym mowa w punkcie 17, oraz powinna być przystosowana do zamontowania kompletnego zestawu oprzyrządowania zapewniającego optyczny pomiar grubości nanoszonych warstw in situ, o której mowa w punkcie 16, przy czym montaż powinien się odbywać bez ingerencji w konstrukcję mechaniczną komory. 2. kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania azotem), systemem komputerowym sterujący i monitorujący pracę pomp i zaworów oraz minimum dwukanałowy układ pomiaru i monitorowania próżni. system powinien umożliwiać pracę przy dozowaniu gazów reaktywnych i gazów dla źródła jonów. system powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłączenie wody chłodzącej i itp. gwarantowana próżnia bazowa < 210 7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. próżnia 10 6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory. 3. układ pomiaru próżni wstępnej i próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw. pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10 7 mbara. dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1 mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach. 4. manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia do 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. zakresy ruchu podłoży we wszystkich kierunkach dostosowane do warunków prowadzenia procesu umożliwiającego uzyskanie jednorodnego pokrycia nakładanymi warstwami na powierzchni wszystkich podłoży w kwadracie minimum 50 x 50 mm w tym moduł ruchu pionowego podłoży, umożliwiający przemieszczanie podłoży w zakresie minimum 50 mm. uchwyty podłoży z obrotem. manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 c. system zawiera uchwyty podłoży z obrotem pozwalające zwiększyć jednorodność nanoszonych warstw. 5. moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 c. 6. układ oświetlenia komory procesowej, 7. uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw, 8. kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu. zamawiający dopuszcza zaoferowanie sytemu bez wygrzewania komory procesowej o ile brak tego układu nie wpływa na funkcjonalność ani parametry oferowanego systemu, tj. przede wszystkim nie wpłynie na czas osiągania próżni roboczej i jeżeli nie stoi to w kolizji z wymaganiem, które dotyczy wygrzewania wszystkich podłoży oraz utrzymania tych podłoży w stałej, arbitralnie regulowanej i ściśle kontrolowanej temperaturze. 9. kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp., 10. układ chłodzenia systemu o parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu. układ powinien być dostarczony z oprzyrządowaniem i wyposażeniem oraz zamkniętym obiegiem cieczy chłodzącej, monitorowaniem poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu. układ powinien być zintegrowany z układem kontrolno sterującym. 11. minimum 2 naparowarki z bombardowaniem elektronowym z dodatkowym wyposażeniem, umożliwiająca naparowanie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży, moc min. 5 kw, prąd min. 750 ma, z odpowiednimi zasilaczami, sterownikami prądu katody przesłonami, tyglami (min. 4 szt.), układami chłodzenia, z cyfrowymi, programowalnymi układami odchylania wiązki elektronów i innym niezbędnym wyposażeniem. wymagana jest możliwość jednoczesnego parowania materiałów z obu dział elektronowych. system powinien być wyposażony w 2 niezależne przysłony z możliwością jednoczesnego otwarcia (jak i otwarcia tylko jednej przysłony) oraz 2 komplety blach osłonowych. wymagana jest możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych (przy dozowaniu gazów w trybie automatycznym i ręcznym w ilościach do 8 [cm3/s]). wymagana jest maska zapewniająca jednorodność naparowania zamontowana poniżej systemów planetarnych. zapasowe katody, 10 szt., tygle z 4 ma obracanymi kieszeniami o pojemności min. 4 [cm3]. dopuszczalny wariant 1 tygiel 6 cio pozycyjny, z dwoma wyrzutniami elektronowymi, poj. gniazda rzędu 7 cm3. 2 działa elektronowe od 5 kw lub 10 kw. 12. kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z minimum 2 ma głowicami, z przesłonami i manipulatorami, sprzężony z systemem automatyki, — działającym przy częstotliwości od 4 do 6 mhz, — z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund, — ilość zapamiętanych warstw min. 60, — podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego, — dodatkowo kryształy pomiarowe nie mniej niż 30 sztuk. 13. kompletny układ minimum 2 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (spośród takich gazów jak ar, he, o2, n2) o czystości klasy 6n z odpowiedni nimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie i monitoring przepływu gazów. każde z doprowadzeń do regulatora przepływu gazu powinno zawierać trójnik umożliwiający podłączenie dwóch źródeł gazu, które można alternatywnie wykorzystywać w procesie nakładania warstw. 14. kompletny komputeryzowany, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny, powtarzalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. system powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera pc. komputer wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory, klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę. o ile stanowisko obsługowe systemu jest wyposażone w monitor, który nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia i stanowi jego integralnej całości, to dostawca dostarczy monitor lub monitory lcd o przekątnej minimum 24 cale, odpowiedni do tego stolik i fotel na kołach, przy czym to wyposażenie będzie przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości, co oznacza, że takie wyposażenie nie jest źródłem zanieczyszczeń lub ich nie gromadzi. wyklucza się wykorzystanie drewna i materiałów pokryciowych z włókna). system powinien być wyposażony w przynajmniej 1 dodatkowy dysk zewnętrzny i oprogramowanie (np. norton ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych. 15. program do projektowanie i obliczeń właściwości transmisyjnych i odbiciowych cienkich powłok wielowarstwowych w zakresie spektralnym od 0,3 m 3,0 m, (np. tfcalc 3.5.15, optilayer pro lub ekwiwalentny) z licencją na 2 stanowiska, w tym jedno mobilne i bazą danych o typowych materiałach stosowanych do wykonywania powłok optycznych. 16. system dod powinien być przystosowany do zainstalowania kompletnego zestawu oprzyrządowania zapewniającego optyczny pomiar grubości nanoszonych warstw in situ, w zakresie pojedynczej długości fali z zakresu 450 – 740 nm, o dokładności określenia grubości warstwy nie mniejsza niż ±5 nm np. telemark model 820 in situ spectroscopic optical monitor lub równoważny. instalacja tego urządzenia do systemu powinna zapewniać jego współpracę z systemem automatyki kontrolno sterującej. 17. system dod powinien być przystosowany do zamontowania kompletnego źródła jonów (zj) wraz z odpowiednim zasilaczem i układem sterującym dedykowanym do nakładania warstw wspomaganego strumieniem jonów iad (ang. ion assistant deposition) oraz czyszczenia powierzchni próbki (np. saintech ion beam system st55 lub ekwiwalentny). instalacja zj powinna się odbywać bez konieczności dokonywania ingerencji w konstrukcję mechaniczną systemu, oraz powinna być zapewniona możliwość włączenia tego urządzenia do systemu w sposób zapieniający jego współpracę z systemem automatyki, w tym oprogramowaniem tego systemu, bez konieczności wymiany tego oprogramowania. wymagania dla ww. systemu iad — system musi umożliwiać pracę w modach; ciągłym, pulsacyjnym, w kontrolowanej atmosferze gazu technologicznego, czyszczenia podłoży, — energia wiązki jonów regulowana, w zakresie do min. 230 ev, — moc wiązki przynajmniej 1500 w, stabilizacja mocy lepsza niż 5 %, — prąd anodowy do 7a lub więcej, niepewność ustawienia prądu < 5 %, — źródło chłodzone wodą, — możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych bez konieczności wymiany anody, możliwość dozowania gazów w trybie automatycznym i ręcznym do 8 [cm3/s], — możliwość sterowania źródła jonów z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego w procesie automatycznego przebiegu procesu, — graficzny interfejs użytkownika z możliwością kontroli i sterowania parametrami pracy. 18. urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce — linia energetyczna 3 fazowa, — napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac. — częstotliwość 50hz. ii) system nanolc kompletny system wytwarzania podłoży do nanotechnologii elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną z układem kontroli parametrów osadzanych warstw oraz ze skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw, oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem. system powinien zapewniać możliwość osadzania przewodzących warstw metalicznych (złoto, chrom, miedź, aluminium itp.) i warstw tlenkowych na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i uv; m.in. na szkle, germanie (ga), krzemie (si, suprasil®, jg3® lub równoważnym), selenku cynku (znse), fluorku wapnia (caf2), szkłach germanowych (np. amtir®, gasir® lub równoważnych). urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce linia energetyczna 3 fazowa, napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, częstotliwość 50hz. system powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach. 1. komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 c, z jednorodnością pokrycia powierzchni o wymiarach minimum 50 x 50 mm w ilości min. 4 szt. komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. minimum 2 źródeł magnetronowych o średnicy targetów minimum 3 cale i źródła jonów oraz manipulatorów próbek, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości nakładanych warstw, układów naparowania termicznego, okna obserwacyjne z przesłonami, itp. 2. kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych, bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania komory azotem), system komputerowym sterujący i monitorujący wizualizujący pracę pomp i zaworów oraz, minimum dwukanałowy, układ pomiaru i monitorowania próżni z poziomu skomputeryzowanego systemu kontrolno sterującego. system powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłącznie wody chłodzącej i itp. gwarantowana próżnia bazowa < 210 7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. próżnia rzędu 10 6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory. 3. układ pomiaru próżni wstępnej i próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10 7 mbara. dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach. 4. manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia minimum 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. manipulator umożliwiający takie przemieszczenia podłoży, które pozwalają uzyskać jednorodne pokrycia na podłożach w kwadracie minimum 50 x 50 mm. system wyposażony w uchwyty umożliwiające obroty podłoży nad źródłami poprawiające jednorodność nanoszonych warstw. wymagana jest regulacja odległości między podłożami a źródłami w zakresie przynajmniej 25 mm od położenia roboczego (standartowego). manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 c. 5. moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 c. 6. diodowy układ oświetlenia komory procesowej. 7. uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw. 8. kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu. zamawiający dopuszcza zaoferowanie sytemu bez wygrzewania komory procesowej o ile brak tego układu nie wpływa na funkcjonalność ani parametry oferowanego systemu, tj. przede wszystkim nie wpłynie na czas osiągania próżni roboczej i jeżeli nie stoi to w kolizji z wymaganiem, które dotyczy wygrzewania wszystkich podłoży oraz utrzymania tych podłoży w stałej, arbitralnie regulowanej i ściśle kontrolowanej temperaturze. 9. kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp. 10. układ chłodzenia systemu o parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu. układ powinien być dostarczony z oprzyrządowaniem i wyposażeniem oraz zamkniętym obiegiem cieczy chłodzącej, monitorowaniem poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu. układ powinien być zintegrowany z układem kontrolno sterującym. 11. minimum 2 źródła magnetronowe o rozmiarze minimum 3 cale z wyposażeniem, zapewniające rozpylanie warstw z materiałów niemagnetycznych z przesłonami sterowanymi także z poziomu układu kontrolno pomiarowego, minimum 2 źródła zasilania rf (moc wyjściowa min. 300 w, f = 13,56 mhz) współpracujące z komputerowym system kontrolno sterującym oraz minimum 2 układy dopasowania (matchbox). moc układów musi zapewniać możliwość osadzania warstw o wysokiej temperaturze topnienia. targety chłodzone wodą, magnetrony z kominkami zapobiegającymi wzajemnemu zanieczyszczaniu się źródeł. całość układu umożliwia nanoszenie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży. 12. źródło naparowania termicznego w postaci łódek z przysłonami i ekranami oraz zasilaczem źródeł termicznych o mocy nie mniejszej niż 2 kw, możliwość naparowania z jednej lub dwóch łódek jednocześnie. zestaw minimum 10 łódek (w tym z wolframu i molibdenu). zestaw odpowiednich osłon. 13. kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z dwoma głowicami, z przesłonami i manipulatorami, przystosowany do pracy w polu rf, — działającym przy częstotliwości od 4 do 6 mhz, — z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund, — ilość zapamiętanych warstw min. 60, — podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego, — dodatkowo kryształy pomiarowe nie mniej niż 30 sztuk. 14. kompletny układ minimum 2 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (w tym o2) o czystości klasy 6n z odpowiednimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie przepływu gazów z poziomu jednostki sterującej pc. 15. kompletny skomputeryzowany, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny i powtarzalny proces osadzania warstw oraz monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. system powinien zapewniać programowalny i powtarzalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera pc. komputer musi być wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory, klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę. o ile stanowisko obsługowe systemu wyposażone w monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia i nie stanowi jego integralnej całość, to dostawca dostarczy monitor lub monitory lcd o przekątnej minimum 24 cale, odpowiedni stolik i fotel na kołach przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości, czyli takie które nie są źródłem zanieczyszczeń lub ich nie gromadzą. wyklucza się wykorzystanie drewna i materiałów pokryciowych z włókna). system powinien być wyposażony w przynajmniej 1 dodatkowy dysk zewnętrzny i oprogramowanie (np. norton ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych, 16. system nanolc powinien być przystosowany do wyposażenia w opcjonalne urządzenie dedykowane do czyszczenia powierzchni próbki w postaci dodatkowego źródła jonów o regulowanej energii jonów w zakresie od 0,1 kev do przynajmniej 3 kev, zapewniające czyszczenie podłoża na powierzchni (sputter cleaning) mieszczącej kwadrat 50 x 50 mm, prąd jonowy nie mniejszy niż 4 ma (argon), gęstość prądu jonowego nie mniejsza niż 120 ma/cm2, niepewność ustawienia prądu < 5 %, ciśnienie robocze 10 3 – 10 6 mbar, kołnierz montażowy dostosowany do komory procesowej. instalacja urządzenia dedykowanego do czyszczenia powierzchni próbki powinna się odbywać bez konieczności dokonywania ingerencji w konstrukcję mechaniczną systemu, oraz powinna być zapewniona możliwość włączenia tego urządzenia do systemu w sposób zapieniający jego współpracę z systemem automatyki, w tym oprogramowaniem tego systemu, bez konieczności wymiany tego oprogramowania. 17. urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce — linia energetyczna 3 fazowa, — napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac. — częstotliwość 50hz. warunki dodatkowe 1. osobno punktowane w procesie oceny oferty jest dostarczenie wraz z przedmiotem zamówienia zestawu następujących materiałów eksploatacyjnych a) targety do źródeł magnetronowych o średnicy minimum 3 cale i grubości minimum 3 mm, max. 7 mm z następujących materiałów o wysokiej czystości (99,99 %) sio2 – 2szt., ito – 1 szt., cr – 1 szt., al – 1 szt. b) materiały do naparowarek elektronowych materiał wymiar czystość waga. ito 1/8" 1/4" 99.99 % 200g. mgf2 3 6 [mm] 99.80 % 200g. zns 3 12 [mm] 99.99 % 200g. sio2 3 12 [mm] 99.99 % 200g. al2o3 3 6 [mm] 99.99 % 100g. ta2o5 3 6 [mm] 99.90 % 75g. al 1/8" 1/4" 99.99 % 100g. cr 1 6 [mm] 99.99 % 100g. au drut śr. 1 [mm] 99.98 % 20g. ind 1/8"śr 1/8"dł 99.99 % 100g. 2. wymagany jest okres minimum 24 miesięczny okres objęty pełna gwarancją techniczną na wszystkie elementy oferowanego przedmiotu zamówienia. 3. osobno punktowane w procesie oceny oferty jest zaoferowanie przedmiotu dostawy wraz z okresem objętym pełną gwarancją wynoszącym minimum 36 miesięcy. 4. dostawa powinna obejmować minimum 1, kompletny zestaw dokumentacji techniczno ruchowej, opisów technicznych instrukcji obsługi oraz wszystkich procesów technologicznych i pomiarowych oferowanych przez system wykonywanych w języku polskim lub angielskim w tym maksymalnie dużą ich część w języku polskim w wersji drukowanej na papierze i w wersji elektronicznej np. na dysku cd. 5. dostawca dostarczy minimum jeden zestaw zapasowy wszystkich typów wymiennych źródeł światła i bezpieczników. 6. dostawca zapewni dostępność części zamiennych przez minimum 10 lat od daty uruchomienie systemów dod i nanolc, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. dostawa części zamiennych do ww. systemów będzie się odbywała na warunkach określonych w odrębnej umowie. 7. dostawca dostarczy na nośniku elektronicznym minimum 1 kopię zapasową kompletnego oprogramowania jednostki centralnej i sterującego systemami dod i nanolc wraz z bezterminową licencją dla zamawiającego na nieograniczone użytkowanie tego oprogramowania przez zamawiającego w jego siedzibie. 8. dostawca zapewni bezpłatną aktualizację oprogramowania jednostki centralnej oprogramowania sterującego systemami dod i nanolc w okresie minimum 5 lat od daty podpisania protokołu odbioru systemów dod i nanolc, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. 9. dostawca dostarczy minimum jeden zestawu kompletnych instrukcji obsługi oprogramowania. 10. dostawca zapewni serwis pogwarancyjny systemów dod i nanolc w okresie minimum 10 lat od daty instalacji co potwierdzi oświadczaniem na piśmie. serwis pogwarancyjny systemów będzie się odbywał na warunkach określonych w odrębnej umowie. 11. dostawca zapewni nieodpłatnie wsparcie techniczne w zakresie dotyczącym eksploatacji i prowadzenia prac z wykorzystaniem systemów dod i nanolc w okresie 10 lat od daty podpisania protokołu odbioru co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. dostawca nieodpłatnie zapewni szkolenie teoretyczne i praktyczne minimum 3 osób w zakresie obsługi systemów dod i nanolc w siedzibie zamawiającego. szkolenie obejmie, wszystkie techniki pracy zapewnione przez urządzenia a także techniki obsługi technicznej systemów dod i nanolc w ramach minimum 50 godzin. szkolenie rozpocznie się w ciągu 6 tygodni i zakończy nie później niż 12 tygodni od dnia przekazania urządzenia protokołem odbioru. 2) zamawiający nie przewiduje możliwości dokonania zmiany postanowień zawartej umowy w stosunku do treści oferty na podstawie której dokonano wyboru wykonawcy. ii.1.6)