Dostawa i uruchomienie systemu do trawienia jonowego i nanoszenia cienkich warstw dla Akademickiego Centrum Materiałów i Nanotechnologii (ACMIN) AGH - ZP/0227/2012. - pl-kraków: aparatura kontrolna i badawcza

Opis przedmiotu przetargu: 1. system ma umożliwiać trawienie jonowe (ang. ion beam etching) oraz nanoszenie cienkich warstw al i al2o3 na podłoża o średnicy do 2 cali. 2. w skład systemu powinny wchodzić co najmniej następujące urządzenia/elementy — komora wysokiej próżni wraz z układem pompującym zapewniającym uzyskanie próżni nie gorszej niż 1x10 6 mbar, — komora załadowcza (ang. loadlock) z niezależnym układem pompującym, — ruchomy uchwyt podłoży wraz z systemem transferu, — działo jonowe, — detektor sims (ang. secondary ion mass spectrometr) do kontroli procesu trawienia (ang. end point detector), — źródło magnetronowe z systemem doprowadzenia i kontroli przepływu gazu, — układ sterujący zawierający konsolę z zainstalowanym oprogramowaniem oraz urządzenia zasilające i sterujące dla komponentów systemu. 3. do trawienia powinno być zastosowane działo jonowe przystosowane do pracy z gazami szlachetnymi (ar, kr, xe) o potencjale przyśpieszającym co najmniej 400 v. działo powinno umożliwiać trawienie 2 calowego podłoża sio2 z prędkością co najmniej 12 nm/min oraz względną jednorodnością nie gorszą niż 5 % (sigma/mean). 4. nanoszenie cienkich warstw powinno odbywać się przy użyciu źródła magnetronowego z zasilaczem stałoprądowym o mocy co najmniej 70 w. szybkość napylania warstwy al2o3 na podłoże okrągłe o średnicy 2 cali powinna być nie gorsza niż 6 nm/min oraz charakteryzować się jednorodnością względną nie gorszą niż 5 % (sigma/mean). źródło powinno być wyposażone w automatyczną przesłonę. 5. system powinien być przystosowany do rozbudowy (w miejscu jego instalacji) o następujące urządzenia — dodatkowe dwa magnetrony o średnicy 2 cali wraz z automatycznymi przesłonami oraz niezależnym doprowadzeniem gazów, — układ automatycznego sterowania parametrami rozpylania reaktywnego (przepływ gazu i napięcie magnetronu) w oparciu o sprzężenie zwrotne z intensywnością wybranych linii emisyjnych, — działo jonowe i system napylania pozwalający na zachowanie w/w jednorodności procesów dla podłoży o średnicy 4 cali oraz umożliwiające trawienie reaktywne (ang. reactive ion beam etching). 6. system powinien być przystosowany do pracy w pomieszczeniu o podwyższonej czystości powietrza klasy 10000. 7. system ma być przystosowany do rozbudowy (w miejscu jego instalacji) o dodatkową komorę analityczną podłączoną do komory załadowczej. 8. procesy trawienia i nanoszenia warstw muszą być prowadzone w sposób zautomatyzowany z możliwością sterowania ich przebiegiem z terminala podłączonego do sieci internet. ii.1.6)