Budowa i dostawa stanowiska do epitaksji z wiązek molekularnych (MBE-molecular beam epitaxy) związków AIIIBV (w tym supersieci II-iego rodzaju z InAs/GaSb bariery AlGaAs) wraz z kompletem materiałów źródłowych i separatorem faz LN2. Alternatywne źródło zasilania: UPS współpracujący z generatorem prądu. - polska-warszawa: maszyny i aparatura badawcza i pomiarowa

Opis przedmiotu przetargu: przedmiotem zamówienia jest budowa i dostawa fabrycznie nowej, nieużywanej, aparatury laboratoryjnej do epitaksji warstw półprzewodnikowych spełniającej wymogi technologii epitaksji z wiązek molekularnych (mbe ang. molecular beam epitaxy) wraz z separatorem faz ciekłego azotu (ln2) i alternatywnym źródłem zasilaniem w postaci ups a (ang. universal power supply) zintegrowanego z generatorem prądu. przed realizacją zamówienia wykonawca dokona przeglądu pomieszczeń i wskaże wymagania techniczne, co do przyłączy (woda, azot, zasilanie) i sposobu instalacji urządzenia. aparatura musi składać się z jednego reaktora trójkomorowego składającego się z komory załadowczej, przygotowawczej i komory wzrostu. wymagany jest standard ultra wysokiej próżni uhv (ang. ultra high vacuum). w szczególności układ próżniowy stanowić będzie a) komora wzrostu dla związków aiiibv, która będzie używana do osadzania warstw gasb, alsb, inas tworzących niedomieszkowane warstwy, warstwy domieszkowane krzemem (si) i berylem (be) lub tellurem (te), jak również supersieci ii rodzaju, zarówno niedomieszkowane jak i domieszkowane, np. struktury wykorzystujące idee zwane inżynierią przerwy wzbronionej i inżynierią naprężeń, w szczególności studni kwantowych i kropek kwantowych, struktury fotoniczne, w tym kwantowe struktury kaskadowe o optycznych przejściach wewnątrzpasmowych, struktury barierowe, również struktury o dużej ruchliwości nośników bazujące na związkach inas osadzanych zarówno na podłożach z gaas jak i na gasb. b) komora przygotowawcza z systemem przechowywania podłoży. c) komora załadowcza. aparatura mbe musi umożliwiać osadzanie warstw półprzewodnikowych na podłożach krystalicznych wykonanych np. z gaas lub gasb o średnicy do 3 cali. reaktor musi umożliwiać przechowywanie przynajmniej 4 sztuk podłoży o średnicy do 3 cali w warunkach uhv. system montażu podłoży nie może wymagać klejenia indem ani klejenia w żaden inny podobny sposób. system transferu musi umożliwić przenoszenie podłoży między komorami załadowczą, przygotowawczą (transferową) i wzrostu. podczas wszystkich etapów technologicznych (transfer, osadzanie) podłoże musi być utrzymywane w pozycji poziomej skierowane stroną epitaksjalną w dół. wszystkie procesy technologiczne osadzania cienkich warstw muszą być kontrolowane przez komputer pc (sterowanie temperatury, źródeł molekularnych, przesłony źródeł molekularnych, temperatury grzejników podłoża itd.), sterowany odpowiednim oprogramowaniem oraz dedykowanym układem automatyki. ii.1.6)