Dostawa zestawu składającego się z: 1) systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie, oraz z 2) systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną wraz ze sprzętem uzupełniającym wraz zamontowaniem we wskazanych przez zamawiającego pomieszczeniu, uruchomieniem systemu i przeszkoleniem personelu w zakresie prowadzenia pomiarów i eksploatacji. - pl-warszawa: różne maszyny specjalnego zastosowania

Opis przedmiotu przetargu: przedmiotem zamówienia jest dostawa zestawu wytwarzania pokryć dielektrycznych i podłoży do nanotechnologii, zwanego dalej „zestawem”, do składającego się z — systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie (zwanego dalej systemem dod), oraz z, — systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną (zwanego dalej systemem nanolc) ze sprzętem uzupełniającym wraz zamontowaniem, uruchomieniem systemu i przeszkoleniem personelu we wskazanych przez zamawiającego pomieszczeniu. system dod kompletny system wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie z układem kontroli parametrów osadzanych warstw i skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw oraz odpowiednim oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem. system powinien zapewniać możliwość osadzania warstw dielektrycznych, ochronnych (sio2, zno, ito, itp.) oraz warstw dopasowujących optycznie (warstw twardych i warstw miękkich) na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i uv m.in. na szkle, germanie (ga), krzemie i szkle kwarcowym (si, suprasil®, jg3® lub równoważnym), selenku cynku (znse), fluorku wapnia (caf2), szkłach germanowych (np. amtir®, gasir® lub równoważnych). system powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach. 1. komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 c, z jednorodnością pokrycia powierzchni minimum 50 x 50 mm lepszą niż 5 %, w ilości jednorazowo min. 4 szt. komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. 2 naparowarek z bombardowaniem elektronowym, źródła jonów, manipulatora, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości osadzanych warstw i innego wyposażenia niezbędnego do wykonania podłoży w procesie automatycznym i ręcznym, a także okna obserwacyjne z przesłonami. 2. kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania azotem), systemem komputerowym sterujący i monitorujący pracę pomp i zaworów oraz minimum dwukanałowy układ pomiaru i monitorowania próżni. system powinien umożliwiać pracę przy dozowaniu gazów reaktywnych i gazów dla źródła jonów. system powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłączenie wody chłodzącej i itp. gwarantowana próżnia bazowa < 210 7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. próżnia 10 6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory. 3. układ pomiaru próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10 7 mbara. dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach. 4. manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia do 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. zakresy ruchu podłoży we wszystkich kierunkach dostosowane do warunków prowadzenia procesu umożliwiającego uzyskanie jednorodnego pokrycia nakładanymi warstwami na powierzchni wszystkich podłoży w kwadracie minimum 50 x 50 mm w tym moduł ruchu pionowego podłoży, umożliwiający przemieszczanie podłoży w zakresie minimum 50 mm. manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 c. opcjonalnie uchwyty podłoży z obrotem. 5. moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 c. 6. układ oświetlenia komory procesowej, 7. uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw, 8. kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu, 9. kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp., 10. układ chłodzenia systemu od parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu z oprzyrządowaniem i wyposażeniem zapewniającym zamknięty obieg cieczy chłodzącej, monitorowanie poziomu i temperatury cieczy chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu, zintegrowanym z układem kontrolno, sterującym, umożliwiającym monitoring i sterowanie pracą pomp, 11. minimum 2 naparowarki z bombardowaniem elektronowym z dodatkowym wyposażeniem, umożliwiająca naparowanie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży, moc min. 6 kw, prąd min. 750 ma, z odpowiednimi zasilaczami, sterownikami prądu katody przesłonami, tyglami (min. 4 szt.), układami chłodzenia, z cyfrowymi, programowalnymi układami odchylania wiązki elektronów i innym niezbędnym wyposażeniem. konieczna możliwość jednoczesnego parowania materiałów z obu dział elektronowych – 2 niezależne przysłony z możliwością jednoczesnego otwarcia (jak i otwarcia tylko jednej przysłony), 2 komplety blach osłonowych. możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych (przy dozowaniu gazów w trybie automatycznym i ręcznym w ilościach do 8 [cm3/s]). maska zapewniająca jednorodność napylania zamontowana poniżej systemów planetarnych. zapasowe katody, 20 szt., tygle z 4 ma obracanymi kieszeniami o pojemności min. 4 [cm3]. dopuszczalny wariant 1 tygiel 6 cio pozycyjny, z dwoma wyrzutniami elektronowymi, poj. gniazda rzędu 7 cm3. 2 działa elektronowe od 5 lub 10 kw. materiały eksploatacyjne materiał ziarnistość czystość waga zamawiana. ito 1/8" 1/4" 99.99 % 500g. mgf2 3 6 [mm] 99.8 % 500g. zns 3 12 [mm] 99.99 % 500g. sio2 3 12 [mm] 99.99 % 1000g. al2o3 3 6 [mm] 99.99 % 200g. ta2o5 3 6 [mm] 99.9 % 200g. al. 1/8" 1/4" 99.99 % 200g. cr 1 6 [mm] 99.998 % 200g. au drut śr. 1 99.98 % 10g. ind 1/8"śr 1/8"dł 99.99 % 1000g. 12. kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z 2 ma głowicami, z przesłonami i manipulatorami — działającym przy częstotliwości od 4 do 6 mhz, — z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund, — ilość zapamiętanych warstw min. 60, — podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego, — dodatkowo kryształy pomiarowe nie mniej niż 100 sztuk. 13. kompletny układ minimum 3 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z trzema rożnymi gazami (spośród takich gazów jak ar, he, o2, n2) o czystości klasy 6n z odpowiedni nimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie i monitoring przepływu gazów. 14. kompletne źródło jonów wraz z odpowiednim zasilaczem i układem sterującym dedykowane do nakładania warstw wspomaganego strumieniem jonów (ang. ion assistant deposition) oraz czyszczenia powierzchni próbki (np. saintech ion beam system st55 lub równoważny) — system umożliwiający pracę w modach; ciągłym, pulsacyjnym, w kontrolowanej atmosferze gazu technologicznego, czyszczenia podłoży, — energia wiązki jonów regulowana, w zakresie do min. 230 ev, — moc wiązki przynajmniej 1500 w, stabilizacja mocy lepsza niż 5 %, — prąd anodowy do 7a lub więcej, niepewność ustawienia prądu < 5 %, — źródło chłodzone wodą, — możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych bez konieczności wymiany anody, możliwość dozowania gazów w trybie automatycznym i ręcznym do 8 [cm3/s], — możliwość sterowania źródła jonów z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego w procesie automatycznego przebiegu procesu, — graficzny interfejs użytkownika z możliwością kontroli i sterowania parametrami pracy. 15. zestaw zapasowych katod, 20 szt. kompletny zestaw oprzyrządowania zapewniający optyczny pomiar grubości nanoszonych warstw w zakresie pojedynczej długości fali z zakresu 450 800 nm, dokładność określenia grubości warstwy nie mniejsza niż lambda/40. opcjonalnie pomiar w zakresie wybranej długości fali z zakresu 450 nm 1600 nm. 16. kompletny, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. system powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera pc. 17. program do obliczeń właściwości transmisyjnych i odbiciowych cienkich wielowarstwowych powłok w zakresie spektralnym od 0,2 μm 14,0 μm np. filterpro lub ekwiwalentny, licencja na 2 stanowiska w tym jedno mobilne. 18. kompletny, minimum 1, zestaw dokumentacji techniczno ruchowej, opisów technicznych instrukcji obsługi i wszystkich procesów technologicznych i pomiarowych oferowanych przez system wykonywanych w języku polskim lub angielskim w tym maksymalnie duża ich część w języku polskim w wersji drukowanej na papierze i w wersji elektronicznej np. na dysku cd. 19. urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce — linia energetyczna 3 fazowa, — napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, — częstotliwość 50hz. system nanolc kompletny system wytwarzania podłoży do nanotechnologii elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną z układem kontroli parametrów osadzanych warstw oraz ze skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw, oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem. system powinien zapewniać możliwość osadzania przewodzących warstw metalicznych (złoto, chrom, miedź, aluminium itp.) i warstw tlenkowych na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i uv; m.in. na szkle, germanie (ga), krzemie (si, suprasil®, jg3® lub równowaznym), selenku cynku (znse), fluorku wapnia (caf2), szkłach germanowych (np. amtir®, gasir® lub równoważnych). urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce linia energetyczna 3 fazowa, napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, częstotliwość 50hz. system powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach 1. komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 c, z jednorodnością pokrycia powierzchni minimum 50 x 50 mm w ilości min. 4 szt. komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. 3 źródeł magnetronowych o średnicy targetów 4 cale (10,16 cm) i źródła jonów oraz manipulatorów próbek, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości nakładanych warstw, okna obserwacyjne z przesłonami itp. 2. kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych, bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania komory azotem), system komputerowym sterujący i monitorujący wizualizujący pracę pomp i zaworów oraz, minimum dwukanałowy, układ pomiaru i monitorowania próżni z poziomu skomputeryzowanego systemu kontrolno sterującego. system powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłącznie wody chłodzącej i itp. gwarantowana próżnia bazowa < 210 7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. próżnia rzędu 10 6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory. 3. układ pomiaru próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10 7 mbara. dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach. 4. manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia minimum 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. manipulator umożliwiający takie przemieszczenia podłoży, które pozwalają uzyskać jednorodne pokrycia na podłożach w kwadracie minimum 50 x 50 mm. wymagana jest regulacja odległości między podłożami a źródłami w zakresie przynajmniej 25 mm od położenia roboczego (standartowego). manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 c. opcjonalnie system umożliwiający obroty podłoży nad źródłami poprawiające jednorodność nanoszonych warstw. 5. moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 c. 6. diodowy układ oświetlenia komory procesowej, 7. uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw, 8. kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu, 9. kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp., 10. układ chłodzenia systemu od parametrach zapewniających bezawaryjną pracę systemu z oprzyrządowaniem i wyposażeniem zapewniającym zamknięty obieg wody chłodzącej, monitorowanie poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu, zintegrowanym z układem kontrolno – sterującym. 11. minimum 3 źródła magnetronowe o rozmiarze 100 mm z wyposażeniem zapewniające rozpylanie warstw z materiałów niemagnetycznych z przesłonami sterowanymi także z poziomu układu kontrolno pomiarowego, minimum 2 źródła zasilania rf (moc wyjściowa min. 300w, f=13,56 mhz) współpracujące z komputerowym system kontrolno sterującym oraz 3 układy dopasowania (machbox’y). moc układów musi zapewniać możliwość osadzania warstw o wysokiej temperaturze topnienia. targety chłodzone wodą, magnetrony z kominkami zapobiegającymi wzajemnemu zanieczyszczaniu się źródeł, średnica targetów 4 cale. całość układu umożliwia nanoszenie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży. targety o średnicy 100 mm i grubości minimum 3 mm max. 7 mm z następujących materiałów sio2 2szt., ito – 2 szt., cr – 1 szt., au 1 szt. al. – 1 szt., 12. źródło jonów dedykowane do czyszczenia powierzchni próbki o regulowanej energii jonów w zakresie od 0,1 kev do przynajmniej 5 kev, zapewniające czyszczenie każdego z podłoży na powierzchni mieszczącej kwadrat 50 x 50 mm, prąd jonowy nie mniejszy niż 25 ma (argon), gęstość prądu jonowego >60 ma/cm2, ciśnienie robocze 10 5 – 10 6 mbar, kołnierz montażowy dostosowany do komory procesowej, długość części próżniowej 63 mm (standard), temperatura wygrzewania 150 c, z odpowiednim zasilaczem wyposażonym w interfejs komunikacyjny z systemem komputerowym, zapewniającym możliwość sterowania procesem czyszczenia z poziomu systemu komputerowego, szum < 250mv, prąd jonowy regulowany z zakresem do maksimum prądu źródła, rozdzielczość minimum 10oa; niepewność ustawienia prądu < 5 %, odgazowanie kontrolowane przez wewnętrzny zegar, grubość wiązki zależna od napięcia przyspieszającego, interfejs użytkownika z wyświetlaczem graficznym, opcjonalnie zimna katoda. 13. kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z 2 ma głowicami, z przesłonami i manipulatorami, przystosowany do pracy w polu rf, — działającym przy częstotliwości od 4 do 6 mhz, — z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund, — ilość zapamiętanych warstw min. 60, — podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego, — dodatkowo kryształy pomiarowe nie mniej niż 100 sztuk. 14. kompletny układ (minimum 2) sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (w tym o2) o czystości klasy 6n z odpowiedni nimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie i wizualizację przepływu gazów. 15. kompletny, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. system powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera pc. komputer wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory (o ile monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia to monitor lub monitory lcd o przekątnej minimum 24 cale), klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę, (o ile monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia to odpowiedni stolik i fotel na kołach przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości), dodatkowy dysk i oprogramowanie (np. norton ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych. 16. urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce — linia energetyczna 3 fazowa, — napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, — częstotliwość 50hz. 17. warunki dodatkowe kompletny, minimum 1, zestaw dokumentacji techniczno ruchowej, opisów technicznych instrukcji obsługi oraz wszystkich procesów technologicznych i pomiarowych oferowanych przez system wykonywany w języku polskim lub angielskim w tym maksymalnie duża ich część w języku polskim w wersji drukowanej na papierze i w wersji elektronicznej np. na dysku cd. — dostawca dostarczy minimum jeden zestawu kompletnych instrukcji obsługi oprogramowania zawierających dokumentację, — dostawca dostarczy minimum jeden zestaw zapasowy wszystkich typów źródeł światła i bezpieczników, — dostawca zapewni dostępność części zamiennych przez minimum 10 lat od daty uruchomienie zestawu w siedzibie zamawiającego, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie, — dostawca zapewni bezpłatną aktualizację oprogramowania w okresie minimum 5 lat od daty instalacji co potwierdzi oświadczeniem na piśmie, — dostawca zapewni serwis pogwarancyjny w okresie 10 lat od daty instalacji co potwierdzi oświadczaniem na piśmie, — dostawca winien posiadać serwis z siedzibą na terenie ue oraz centralny magazyn części zamiennych na terenie ue, — dostawca zapewni wsparcie techniczne w okresie 10 lat od daty instalacji co potwierdzi oświadczeniem na piśmie, — dostawca zapewnia szkolenie minimum 3 osób w zakresie obsługi urządzenia w siedzibie zamawiającego. szkolenie obejmie, w ramach minimum 40 godzin szkolenia, wszystkie techniki pomiarowe zapewnione przez urządzenie a także techniki obsługi i podstawowej kalibracji urządzenia. szkolenie rozpocznie się w ciągu 3 tygodni i zakończy nie później niż 3 miesiące od przekazania urządzenia protokołem odbioru. ii.1.6)