Dostawa zestawu składającego się z: 1) systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie, oraz z 2) systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną wraz ze sprzętem uzupełniającym oraz zamontowaniem we wskazanym przez zamawiającego pomieszczeniu, uruchomieniem systemu i przeszkoleniem personelu w zakresie eksploatacji. - pl-warszawa: różne maszyny specjalnego zastosowania

Opis przedmiotu przetargu: przedmiotem zamówienia jest dostawa zestawu wytwarzania pokryć dielektrycznych i podłoży do nanotechnologii, zwanego dalej „zestawem”, do składającego się z — systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie (zwanego dalej systemem dod) oraz z, — systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną (zwanego dalej systemem nanolc) ze sprzętem uzupełniającym wraz zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem personelu we wskazanych przez zamawiającego pomieszczeniu. system dod kompletny system wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie z układem kontroli parametrów osadzanych warstw i skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw oraz odpowiednim oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem. system powinien zapewniać możliwość osadzania warstw dielektrycznych, ochronnych (sio2, zno, ito, itp.) oraz warstw dopasowujących optycznie (warstw twardych i warstw miękkich) na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i uv m.in. na szkle, germanie (ga), krzemie i szkle kwarcowym (si, suprasil®, jg3® lub równoważnym), selenku cynku (znse), fluorku wapnia (caf2), szkłach germanowych (np. amtir®, gasir® lub równoważnych). system powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach. 1. komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 c, z jednorodnością pokrycia powierzchni minimum 50 x 50 mm lepszą niż 5 % w ilości jednorazowo min. 4 szt. komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. 2 naparowarek z bombardowaniem elektronowym, źródła jonów, manipulatora, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości osadzanych warstw i innego wyposażenia niezbędnego do wykonania podłoży w procesie automatycznym i manualnym, a także min., okien obserwacyjnych z przesłonami. 2. kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania azotem), systemem komputerowym sterujący i monitorujący pracę pomp i zaworów oraz minimum dwukanałowy układ pomiaru i monitorowania próżni. system powinien umożliwiać pracę przy dozowaniu gazów reaktywnych i gazów dla źródła jonów. system powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłączenie wody chłodzącej i itp. gwarantowana próżnia bazowa < 210 7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. próżnia 10 6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory. 3. układ pomiaru próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10 7 mbara. dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1 mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach. 4. manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia do 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. zakresy ruchu podłoży we wszystkich kierunkach dostosowane do warunków prowadzenia procesu umożliwiającego uzyskanie jednorodnego pokrycia nakładanymi warstwami na powierzchni wszystkich podłoży w kwadracie minimum 50 x 50 mm w tym moduł ruchu pionowego podłoży, umożliwiający przemieszczanie podłoży w zakresie minimum 50 mm. uchwyty podłoży z obrotem. manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 c. 5. moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 c. 6. układ oświetlenia komory procesowej, 7. uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw, 8. kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu. zamawiający dopuszcza zaoferowanie sytemu bez wygrzewania komory procesowej o ile brak tego układu nie wpływa na funkcjonalność ani parametry oferowanego systemu, tj. przede wszystkim nie wpłynie na czas osiągania próżni roboczej i jeżeli nie stoi to w kolizji z wymaganiem, które dotyczy wygrzewania wszystkich podłoży oraz utrzymania tych podłoży w stałej, arbitralnie regulowanej i ściśle kontrolowanej temperaturze. 9. kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp., 10. układ chłodzenia systemu o parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu. układ powinien być dostarczony z oprzyrządowaniem i wyposażeniem oraz zamkniętym obiegiem cieczy chłodzącej, monitorowaniem poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu. układ powinien być zintegrowany z układem kontrolno sterującym. 11. minimum 2 naparowarki z bombardowaniem elektronowym z dodatkowym wyposażeniem, umożliwiająca naparowanie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży, moc min. 5 kw, prąd min. 750 ma, z odpowiednimi zasilaczami, sterownikami prądu katody przesłonami, tyglami (min. 4 szt.), układami chłodzenia, z cyfrowymi, programowalnymi układami odchylania wiązki elektronów i innym niezbędnym wyposażeniem. wymagana jest możliwość jednoczesnego parowania materiałów z obu dział elektronowych. system powinien być wyposażony w 2 niezależne przysłony z możliwością jednoczesnego otwarcia (jak i otwarcia tylko jednej przysłony) oraz 2 komplety blach osłonowych. wymagana jest możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych (przy dozowaniu gazów w trybie automatycznym i ręcznym w ilościach do 8 [cm3/s]). wymagana jest maska zapewniająca jednorodność naparowania zamontowana poniżej systemów planetarnych. zapasowe katody, 10 szt., tygle z 4 ma obracanymi kieszeniami o pojemności min. 4 [cm3]. dopuszczalny wariant 1 tygiel 6 cio pozycyjny, z dwoma wyrzutniami elektronowymi, poj. gniazda rzędu 7 cm3. 2 działa elektronowe od 5 kw lub 10 kw. wymagane materiały eksploatacyjne materiał ziarnistość czystość waga. ito 1/8" 1/4" 99.99 % 200g. mgf2 3 6 [mm] 99.80 % 200g. zns 3 12 [mm] 99.99 % 200g. sio2 3 12 [mm] 99.99 % 200g. al2o3 3 6 [mm] 99.99 % 100g. ta2o5 3 6 [mm] 99.90 % 75g. al. 1/8" 1/4" 99.99 % 100g. cr 1 6 [mm] 99.99 % 100g. au drut śr. 1 [mm] 99.98 % 20g. ind 1/8"śr 1/8"dł 99.99 % 200g. 12. kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z 2 ma głowicami, z przesłonami i manipulatorami — działającym przy częstotliwości od 4 do 6 mhz, — z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund, — ilość zapamiętanych warstw min. 60, — podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego, — dodatkowo kryształy pomiarowe nie mniej niż 30 sztuk. 13. kompletny układ minimum 2 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (spośród takich gazów jak ar, he, o2, n2) o czystości klasy 6n z odpowiedni nimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie i monitoring przepływu gazów. każde z doprowadzeń do regulatora przepływu gazu powinno zawierać trójnik umożliwiający podłączenie dwóch źródeł gazu, które można alternatywnie wykorzystywać w procesie nakładania warstw. 14. kompletne źródło jonów wraz z odpowiednim zasilaczem i układem sterującym dedykowane do nakładania warstw wspomaganego strumieniem jonów (ang. ion assistant deposition) oraz czyszczenia powierzchni próbki (np. saintech ion beam system st55 lub ekwiwalentny) — system umożliwiający pracę w modach; ciągłym, pulsacyjnym, w kontrolowanej atmosferze gazu technologicznego, czyszczenia podłoży, — energia wiązki jonów regulowana, w zakresie do min. 230 ev, — moc wiązki przynajmniej 1500 w, stabilizacja mocy lepsza niż 5 %, — prąd anodowy do 7a lub więcej, niepewność ustawienia prądu < 5 %, — źródło chłodzone wodą, — możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych bez konieczności wymiany anody, możliwość dozowania gazów w trybie automatycznym i ręcznym do 8 [cm3/s], — możliwość sterowania źródła jonów z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego w procesie automatycznego przebiegu procesu, — graficzny interfejs użytkownika z możliwością kontroli i sterowania parametrami pracy, — zestaw zapasowych katod, 10 szt. 15. kompletny zestaw oprzyrządowania zapewniający optyczny pomiar grubości nanoszonych warstw in situ, w zakresie pojedynczej długości fali z zakresu 450 750nm, dokładność określenia grubości warstwy nie mniejsza niż lambda/40. opcjonalnie układ może umożliwiać pomiar w przy wybranej długości fali z zakresu 450 nm 1600 nm. opcja ta jest osobno punktowana w procesie oceny oferty. 14. kompletny komputeryzowany, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny, powtarzalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. system powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera pc. komputer wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory, klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę. o ile stanowisko obsługowe systemu wyposażone w monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia i stanowi jego integralną całość, to dostawca dostarczy monitor lub monitory lcd o przekątnej minimum 22 cale, odpowiedni stolik i fotel na kołach przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości, czyli takie które nie są źródłem zanieczyszczeń lub ich nie gromadzą. wyklucza się wykorzystanie drewna i materiałów pokryciowych z włókna). system powinien być wyposażony w przynajmniej 1 dodatkowy dysk zewnętrzny i oprogramowanie (np. norton ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych. 16. program do obliczeń właściwości transmisyjnych i odbiciowych cienkich powłok wielowarstwowych w zakresie spektralnym od 0,3 m 3,0 m, (np. tfcalc 3.5.15, optilayer pro lub ekwiwalentny) z licencją na 2 stanowiska, w tym jedno mobilne i bazą danych o typowych materiałach stosowanych do wykonywania powłok optycznych. 17. urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce — linia energetyczna 3 fazowa, — napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, — częstotliwość 50hz. system nanolc kompletny system wytwarzania podłoży do nanotechnologii elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną z układem kontroli parametrów osadzanych warstw oraz ze skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw, oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem. system powinien zapewniać możliwość osadzania przewodzących warstw metalicznych (złoto, chrom, miedź, aluminium itp.) i warstw tlenkowych na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i uv; m.in. na szkle, germanie (ga), krzemie (si, suprasil®, jg3® lub równowaznym), selenku cynku (znse), fluorku wapnia (caf2), szkłach germanowych (np. amtir®, gasir® lub równoważnych). urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce linia energetyczna 3 fazowa, napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, częstotliwość 50hz. system powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach. 1. komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 c, z jednorodnością pokrycia powierzchni o wymiarach minimum 50 x 50 mm w ilości min. 4 szt. komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. minimum 2 źródeł magnetronowych o średnicy targetów minimum 3 cale i źródła jonów oraz manipulatorów próbek, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości nakładanych warstw, układów naparowania termicznego, okna obserwacyjne z przesłonami, itp. 2. kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych, bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania komory azotem), system komputerowym sterujący i monitorujący wizualizujący pracę pomp i zaworów oraz, minimum dwukanałowy, układ pomiaru i monitorowania próżni z poziomu skomputeryzowanego systemu kontrolno sterującego. system powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłącznie wody chłodzącej i itp. gwarantowana próżnia bazowa < 210 7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. próżnia rzędu 10 6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory. 3. układ pomiaru próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10 7 mbara. dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach. manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia minimum 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. manipulator umożliwiający takie przemieszczenia podłoży, które pozwalają uzyskać jednorodne pokrycia na podłożach w kwadracie minimum 50 x 50 mm. system wyposażony w uchwyty umożliwiające obroty podłoży nad źródłami poprawiające jednorodność nanoszonych warstw. wymagana jest regulacja odległości między podłożami a źródłami w zakresie przynajmniej 25 mm od położenia roboczego (standartowego). manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 c. 4. moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 c. 5. diodowy układ oświetlenia komory procesowej. 6. uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw. 7. kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu. zamawiający dopuszcza zaoferowanie sytemu bez wygrzewania komory procesowej o ile brak tego układu nie wpływa na funkcjonalność ani parametry oferowanego systemu, tj. przede wszystkim nie wpłynie na czas osiągania próżni roboczej i jeżeli nie stoi to w kolizji z wymaganiem, które dotyczy wygrzewania wszystkich podłoży oraz utrzymania tych podłoży w stałej, arbitralnie regulowanej i ściśle kontrolowanej temperaturze. 8. kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp. 9. układ chłodzenia systemu o parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu. układ powinien być dostarczony z oprzyrządowaniem i wyposażeniem oraz zamkniętym obiegiem cieczy chłodzącej, monitorowaniem poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu. układ powinien być zintegrowany z układem kontrolno sterującym. 10. minimum 2 źródła magnetronowe o rozmiarze minimum 3 cale z wyposażeniem, zapewniające rozpylanie warstw z materiałów niemagnetycznych z przesłonami sterowanymi także z poziomu układu kontrolno pomiarowego, minimum 2 źródła zasilania rf (moc wyjściowa min. 300 w, f = 13,56 mhz) współpracujące z komputerowym system kontrolno sterującym oraz minimum 2 układy dopasowania (matchbox). moc układów musi zapewniać możliwość osadzania warstw o wysokiej temperaturze topnienia. targety chłodzone wodą, magnetrony z kominkami zapobiegającymi wzajemnemu zanieczyszczaniu się źródeł. całość układu umożliwia nanoszenie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży. targety o średnicy minimum 3 cale i grubości minimum 3 mm, max. 7 mm z następujących materiałów sio2 1szt., ito – 1 szt., cr – 1 szt., al. – 1 szt. 11. źródło naparowania termicznego w postaci łódki z przysłoną i ekranami i zasilaczem źródła termicznego o mocy nie mniejszej niż 2 kw, możliwość naparowania z jednej lub dwóch łódek jednocześnie. zestaw minimum 10 łódek (w tym z wolframu i molibdenu). 12. opcjonalnie system nanolc wyposażony urządzenie dedykowane do czyszczenia powierzchni próbki w postaci dodatkowego źródła jonów o regulowanej energii jonów w zakresie od 0,1 kev do przynajmniej 3 kev, zapewniające czyszczenie podłoża na powierzchni (sputter cleaning) mieszczącej kwadrat 50 x 50 mm, prąd jonowy nie mniejszy niż 4 ma (argon), gęstość prądu jonowego nie mniejsza niż 120 a/cm2, ciśnienie robocze 10 3 – 10 6 mbar, kołnierz montażowy dostosowany do komory procesowej z odpowiednim zasilaczem wyposażonym w interfejs komunikacyjny z systemem komputerowym, zapewniającym możliwość sterowania procesem czyszczenia z poziomu systemu komputerowego, niepewność ustawienia prądu < 5 %. opcja osobno punktowana w procesie oceny prawidłowo złożonej oferty. 13. kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z dwoma głowicami, z przesłonami i manipulatorami, przystosowany do pracy w polu rf, — działającym przy częstotliwości od 4 do 6 mhz, — z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund, — ilość zapamiętanych warstw min. 60, — podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego, — dodatkowo kryształy pomiarowe nie mniej niż 30 sztuk. 15. kompletny układ minimum 2 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (w tym o2) o czystości klasy 6n z odpowiednimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie przepływu gazów z poziomu jednostki sterującej pc. 16. kompletny komputeryzowany, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. system powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera pc. komputer wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory, klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę. o ile stanowisko obsługowe systemu wyposażone w monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia i stanowi jego integralną całość, to dostawca dostarczy monitor lub monitory lcd o przekątnej minimum 22 cale, odpowiedni stolik i fotel na kołach przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości, czyli takie które nie są źródłem zanieczyszczeń lub ich nie gromadzą. wyklucza się wykorzystanie drewna i materiałów pokryciowych z włókna). system powinien być wyposażony w przynajmniej 1 dodatkowy dysk zewnętrzny i oprogramowanie (np. norton ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych. 17. urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w polsce — linia energetyczna 3 fazowa, — napięcie 3 x 400v+/ 10 %, ac, — częstotliwość 50hz. warunki dodatkowe 1. kompletny, minimum 1, zestaw dokumentacji techniczno ruchowej, opisów technicznych instrukcji obsługi oraz wszystkich procesów technologicznych i pomiarowych oferowanych przez system wykonywanych w języku polskim lub angielskim w tym maksymalnie duża ich część w języku polskim w wersji drukowanej na papierze i w wersji elektronicznej np. na dysku cd. 2. dostawca dostarczy minimum jeden zestaw zapasowy wszystkich typów wymiennych źródeł światła i bezpieczników. 3. dostawca zapewni dostępność części zamiennych przez minimum 10 lat od daty uruchomienie systemów dod i nanolc, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. dostawa części zamiennych do ww. systemów będzie się odbywała na warunkach określonych w odrębnej umowie. 4. dostawca dostarczy na nośniku elektronicznym minimum 1 kopię zapasową kompletnego oprogramowania jednostki centralnej i sterującego systemami dod i nanolc wraz z bezterminową licencją dla zamawiającego na nieograniczone użytkowanie tego oprogramowania przez zamawiającego w jego siedzibie. 5. dostawca zapewni bezpłatną aktualizację oprogramowania jednostki centralnej oprogramowania sterującego systemami dod i nanolc w okresie minimum 5 lat od daty podpisania protokołu odbioru systemów dod i nanolc, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. 6. dostawca dostarczy minimum jeden zestawu kompletnych instrukcji obsługi oprogramowania. 7. dostawca zapewni serwis pogwarancyjny systemów dod i nanolc w okresie minimum 10 lat od daty instalacji co potwierdzi oświadczaniem na piśmie. serwis pogwarancyjny systemów będzie się odbywał na warunkach określonych w odrębnej umowie. 8. dostawca zapewni nieodpłatnie wsparcie techniczne w zakresie dotyczącym eksploatacji i prowadzenia prac z wykorzystaniem systemów dod i nanolc w okresie 10 lat od daty podpisania protokołu odbioru co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. ii.1.6)